1.内存时序怎么调 详解内存时序调整方法？

内存条时序查询_内存条时序在哪看

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：

一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置

首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：

mand Per Clock(CPC)

可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。

CAS Latency Control(tCL)

可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>>

问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。

所以这个值是越小越好。

你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存

1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)，

所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能

问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30

你现在使用的时序已经优于默认时序。

可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。

问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息

问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到

用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！

问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到

问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数

问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866

问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下.

问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。

在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

内存时序怎么调 详解内存时序调整方法？

查看方法如下：运用系统命令行命令查看内存频率首先，当然是要靠windows系统自身的工具盒方法来查看内存频率。按下WIN键+R组合键，打开运行，输入cmd，回车，进入命令提示符窗口，在其中输入wmicmemorychip。

时序是指内存的延迟时间，一般使用四组参数加破折号的方式来展示，例如：16-18-18-36，分别是CL-TRCD-TRP-TRAS；我们一般只关注第一个参数，也就是CL值；大部分情况中，在内存频率相同的情况下，CL值越低越好。

需要先打开CPU-Z这款软件。安装完成后进入到主界面，可以在这里看到CPU的各项参数。在主界面上方点击“内存”面板选项即可查看。

延迟描述(CL)：CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CASLatency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。

内存时序是指内存读写时的延迟时间，包括CL（CAS Latency）、TRCD（RAS to CAS Delay）和TRP（RAS Precharge Time）等参数。这些参数可以通过调整内存时序来优化内存性能。

以下是如何调整内存时序的步骤：

1. 进入BIOS设置：根据不同的主板和电脑型号，进入BIOS设置的方法可能不同。通常，您需要按下电脑开机时的特定按键，例如F2、F12或Delete键。在BIOS设置中，找到“高级”或“内存”选项，然后进入内存时序调整选项。

2. 调整CL（CAS Latency）：CL是内存读写时的一个延迟时间，它表示从读取命令发出到第一次数据读取的时间。您可以通过调整CL值来优化内存性能。通常，较低的CL值会导致更高的性能，但也会增加延迟。因此，您需要根据您的具体情况进行调整。在BIOS设置中，找到CL值调整选项，然后根据您的需求进行调整。

3. 调整TRCD（RAS to CAS Delay）：TRCD表示从RAS（行地址选择）信号发出到CAS（列地址选择）信号发出的时间。这个时间的长短会影响内存的读写速度。您可以通过调整TRCD值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到TRCD值调整选项，然后根据您的需求进行调整。

4. 调整TRP（RAS Precharge Time）：TRP表示RAS信号预充电所需的时间。在内存读写之前，需要执行预充电操作，以清除之前的电荷。您可以通过调整TRP值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到TRP值调整选项，然后根据您的需求进行调整。

需要注意的是，不同的内存类型和不同的电脑配置可能需要不同的最佳内存时序调整值。因此，您需要根据您的具体情况进行调整，并在测试中进行适当的优化。